Autor |
Martins, Renan Daniel Dias; |
Orientador |
Ferreira, Sandro Binsfeld; |
Lattes do orientador |
http://lattes.cnpq.br/6571128170736637; |
Instituição |
Universidade do Vale do Rio dos Sinos; |
Título |
Projeto de circuito integrado para RF energy harvesting em tecnologia CMOS 180 NM; |
Resumo |
Este trabalho apresenta um projeto de circuito integrado para conversão RF CC utilizando uma tecnologia CMOS de 180 nm genérica para a frequência ISM
(Industrial, Scientific, Medical) de 13,563 MHz. O circuito proposto utiliza uma rede de
elevação de tensão (VBN) com divisor de tensão capacitivo e um retificador
multiplicador de tensão em topologia Cross-Coupled Charge Pump Rectifier (CC CPR) modificado de dois estágios capaz de fornecer níveis de tensão de cerca de
2,3 V, suficientes para alimentação de dispositivos de IoT de ultrabaixo consumo,
como sensores industriais ou dispositivos biomédicos que não tem possibilidade de
utilização de baterias ou fontes cabeadas. Esta tensão é alcançada para uma entrada
de -11 dBm e para uma carga de 100 kΩ, com uma eficiência de conversão de energia
(PCE) de 66,42 %. O circuito proposto foi implementado e simulado em layout extraído
usando o GPDK180 em ambiente Cadence® Virtuoso. Outras topologias de
retificadores de tensão foram simuladas para os mesmos parâmetros de carga e
frequência, para comparação de resultados, bem como foi realizada uma comparação
com circuitos apresentados por outros autores com a mesma proposta.; |
Palavras-chave |
Energy harvesting; Radiofrequência; Circuito integrado; CMOS; |
Tipo |
TCC; |
Data de defesa |
2019-06-25; |
URI |
http://www.repositorio.jesuita.org.br/handle/UNISINOS/11689; |
Nivel |
Graduação; |
Curso |
Engenharia Eletrônica; |