Resumo:
Com o avanço da microeletrônica, cada vez mais surgem dispositivos eletrônicos portáteis. Isso traz diversos desafios à cadeia de semicondutores, desde o projeto, no desenvolvimento de circuitos integrados menores e mais eficientes até o encapsulamento, uma vez que os componentes tem ficado menores, mais finos e com um número maior de pinos de entrada e saída. Esses desafios estão presentes em todos os processos de fabricação de um chip e podemos citar a moldagem como um processo crítico em especial. A tecnologia de moldagem por transferência, que está consolidada e é a principal utilizada neste processo, necessita de cuidados especiais na otimização de seus parâmetros e materiais, tendo em vista os fatores citados e a consequente redução do diâmetro dos fios que realizam a interconexão do die com o substrato. Neste cenário, o wire sweep, que é o arraste destes fios de solda devido ao escoamento do encapsulante, acaba se tornando um problema, já que perdas no processo de moldagem implicam em sucatear o componente. A taxa de falhas devido a este tipo de falha podem chegar a 2,5%, segundo estudos de grandes fabricantes da cadeia de semicondutores divulgado em (SANDGREN; ROTH, 2004). Neste trabalho foi simulado o processo de moldagem de memórias DRAM com encapsulament do tipo BOC BGA, utilizando o módulo de FSI do software COMSOL. Os resultados da razão de wire sweep obtidos na simulação ficaram dentro do intervalo da média com um desvio padrão, na comparação com os valores reais medidos em peças fabricadas na condição simulada, tendo como erro máximo 15,26%.