Desenvolvimento e análise comparativa de soluções para teste funcional de memória DRAM em testador automático industrial versus testador manual de bancada

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Título do periódico

ISSN

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Nome da instituição

Universidade do Vale do Rio dos Sinos

Departamento

Escola Politécnica

Programa

Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica

Agência de fomento

Nenhuma
Resumo

A qualificação do processo produtivo poderá garantir a qualidade e a confiabilidade desejada dos produtos produzidos. Para isso, torna-se indispensável a compreensão do comportamento funcional dos componentes eletrônicos e das principais características de suas falhas. Por outro lado, o constante avanço tecnológico e o aumento na complexidade dos dispositivos agrega dificuldade na etapa de teste, pois com o aumento da densidade e da taxa de transmissão de dados das memórias, além das estruturas cada vez mais complexas, aumentam-se os desafios relacionados às estratégias de teste aplicadas, ao mesmo tempo que impõem a necessidade de um conhecimento aprofundado dos dispositivos desenvolvidos. Além disso, a constante evolução do mercado brasileiro no setor de semicondutores apresenta uma necessidade ainda maior do aperfeiçoamento dos processos e capacidade de testes de nível industrial, a fim de agregar valor, qualidade e gerar competitividade com o mercado internacional. Baseando-se neste contexto tevese como objetivo deste trabalho o desenvolvimento e validação de um programa de teste elétrico funcional para memórias para utilização em um equipamento ATE (Automatic Test Equipment) industrial de alto desempenho, e posteriormente uma análise comparativa entre a solução de teste desenvolvida e uma existente em um testador de bancada (Turbocats TCE3200LP). Os dispositivos alvo deste trabalho foram as memórias SDRAM DDR4. A plataforma utilizada no projeto foi o ATE Magnum V da Teradyne, para o qual foi desenvolvido o programa de teste, que utilizou alguns dos principais algoritmos de teste de memória encontrados na literatura e adequados ao teste de memórias SDRAM. A validação funcional do desenvolvimento do teste, bem como a análise comparativa, foi realizada através da análise de aderência entre falhas detectadas pelo programa de teste elaborado no ATE e as falhas detectadas através dos algoritmos existente na plataforma TCE3200LP. O nível de aderência dos resultados entre a solução de teste desenvolvida e os testador de bancada foi de 47%. Entretanto, a aderência entre o teste no ATE e as amostras selecionadas foi de aproximadamente 80%, apresentando maior similaridade com a condição real de cada amostra se comparado ao resultado obtido pelo TCE2300LP. Em outras palavras, o índice de cobertura de falhas da solução de teste desenvolvida apresenta melhores resultados do que a solução do testador de bancada TCE3200LP, sendo uma alternativa interessante para utilização em análises de falhas e caracterização de defeitos.