Estudo da viabilidade técnica e econômica da substituição de fios de ouro por fios de cobre em memórias DRAM

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Título do periódico

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Título do volume

Nome da instituição

Universidade do Vale do Rio dos Sinos

Departamento

Escola Politécnica

Programa

Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica

Agência de fomento

itt Chip - Instituto Tecnológico de Semicondutores da Unisinos
PADIS - Programa Federal de Apoio a Indústria de Semicondutores
Resumo

Este estudo avalia uma proposta de substituição de fio de ouro por fio de cobre no processo de wire bonding em memórias DRAM DDR3 encapsuladas no Brasil. A viabilidade técnica da aplicação desta tecnologia para este componente foi testada na prática em uma empresa coreana, com a produção de amostras e verificação das características de qualidade das mesmas. Após otimização de parametros da primeira solda por DOE, foi possível obter resultados dentro das especificações do processo e semelhantes aos obtidos com o fio de ouro. Após a confirmação da viabilidade técnica, foi verificado a viabilidade econômica deste projeto, calculando o custo de implementação e estimando o tempo para retorno do investimento através dos métodos de payback simples e descontado. Devido à necessidade de aquisição de máquinas soldadoras de custo elevado, o payback descontado resultou em seis anos e onze meses, o que representa um risco alto considerando o dinamismo do mercado de semicondutores e a eminente substituição do encapsulamento BOC pela tecnologia de flip chip


Tema (CNPq)

ACCNPQ::Engenharias::Engenharia Elétrica

Tipo de arquivo

Dissertação

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